脑胶质瘤的形成目前尚未完全明确，但有一些相关因素。一般认为，脑胶质瘤的形成可能与遗传因素有关，约5%的脑胶质瘤患者存在明显的遗传倾向，比如某些基因的突变可能增加患病风险；还可能与环境因素相关，长期接触电离辐射是一个可能的环境诱因，有研究发现，长期从事放射工作且防护不当的人群，患脑胶质瘤的几率比普通人群高一些。
遗传因素相关
基因突变影响： 一些特定基因的突变会增加脑胶质瘤的发生几率。例如，IDH基因的突变在低级别脑胶质瘤中较为常见，约70% - 80%的低级别星形细胞瘤存在IDH1或IDH2基因突变。这种基因突变会导致细胞的代谢和增殖调控发生改变，进而使细胞异常增殖形成肿瘤。家族遗传倾向： 如果家族中有脑胶质瘤患者，那么家族成员患脑胶质瘤的风险会高于普通人群。有家族史的人群需要更加关注自身健康状况，定期进行相关的脑部检查，以便早期发现可能出现的问题。
环境因素相关
电离辐射暴露： 长期处于电离辐射环境中，细胞的DNA容易受到损伤，从而影响细胞的正常生长和分裂。比如，在医疗领域中，接受头部放疗的患者，在放疗后的数年甚至数十年，患脑胶质瘤的风险会有所增加。而且放疗剂量越高、暴露时间越长，患病风险可能越高。化学物质接触： 某些化学物质也可能与脑胶质瘤的形成有关。例如，长期接触染发剂中的一些化学物质，虽然目前的研究还没有完全明确其确切的致病机制，但有一些流行病学调查发现，长期频繁使用染发剂的人群，脑胶质瘤的发病风险可能会略有升高。
胚胎发育相关
胚胎时期细胞异常： 在胚胎发育过程中，如果神经上皮细胞出现异常分化，就可能导致脑胶质瘤的发生。胚胎时期一些影响神经组织正常发育的因素，可能会使部分细胞无法正常分化成熟，进而逐渐增殖形成脑胶质瘤。这种胚胎发育时期的异常情况较为复杂，目前对于具体的作用机制还在进一步的研究探索中，但已经明确胚胎发育异常是脑胶质瘤形成的一个潜在因素。